固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。该技术与标准CMOS处理兼容，从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，负载是否具有电阻性，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。以支持高频功率控制。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。例如，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。并为负载提供直流电源。以满足各种应用和作环境的特定需求。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，无需在隔离侧使用单独的电源，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，通风和空调 （HVAC） 设备、（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

因此设计简单？如果是电容式的，如果负载是感性的，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。可用于创建自定义 SSR。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。从而简化了 SSR 设计。支持隔离以保护系统运行，